特許
J-GLOBAL ID：200903033601684358
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-262007
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085470
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 本発明は半導体素子を基板にフェイスダウン実装した構造を有する半導体装置及びその製造方法に関し、バンプと突起電極との接続信頼性の向上を図ると共に製造効率の向上を図ることを課題とする。【解決手段】複数の半田バンプ12が形成された半導体素子11と、上面に突起電極27が突出形成されると共に下面に実装端子となる半田ボール16が配設されており半導体素子11がフェイスダウン接続されて半田バンプ12と突起電極27とが接続される基板20と、半導体素子11と基板20との間に介装されたアンダーフィルレジン17とを具備する半導体装置において、突起電極27を半田バンプ12内に嵌入すると共に、半田バンプ12と突起電極27との界面に半田バンプ12の材質と突起電極27の材質との合金層18が形成された構成とする。
請求項（抜粋）：
複数のバンプが形成された半導体素子と、前記バンプの配列に対応した複数の突起電極が上面に突出形成されると共に下面に実装端子となるボールが配設されており、前記半導体素子がフェイスダウン接続され前記バンプと前記突起電極とが接続される基板と、前記半導体素子と前記基板との間に介装された絶縁樹脂と、を具備する半導体装置であって、前記突起電極を前記バンプ内に嵌入すると共に、前記バンプと前記突起電極との界面に前記バンプの材質と前記突起電極の材質との合金層が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
Fターム (6件)：
5F044KK01
, 5F044KK17
, 5F044KK18
, 5F044LL01
, 5F044LL11
, 5F044QQ03
