特許
J-GLOBAL ID：200903034066868718
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-111703
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294773
出願日： 2004年04月06日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 半導体装置の製造技術において、ウェハの表面および裏面に電極を有するパワー半導体素子の薄ウェハ化対応のプローブ測定を容易に実現することができる測定技術を提供する。【解決手段】 IGBT、パワーMOSFETなどのパワー半導体素子の製造において、ウェハ61にパワー半導体素子を形成し、ウェハ61の表面に開口部を有するテープ64を貼り付け、パワー半導体素子の電気的特性を、テープ64の開口部を介したウェハ61の表面の電極と、ウェハ61の裏面の電極とに電気的に接続して測定し、ウェハ61の表面に貼り付けたテープ64を剥離し、ウェハ61の裏面にダイシングテープを貼り付けて個々のパワー半導体素子のチップに切断し、パッケージ構造の半導体装置を組み立てる。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
以下の工程を含む半導体装置の製造方法:
(a)ウェハに集積回路を形成する工程;
(b)前記ウェハの表面に開口部を有する測定用保持部材を貼り付け、前記集積回路の電気的特性を測定する工程;
(c)前記ウェハの表面に貼り付けた測定用保持部材を剥離し、前記ウェハの裏面に切断用保持部材を貼り付けて個々の集積回路チップに切断する工程;
(d)前記集積回路チップを収納して半導体装置を組み立てる工程。
IPC (4件)：
H01L21/66
, H01L21/02
, H01L21/336
, H01L29/78
H01L21/66 B
, H01L21/02 Z
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655Z
, H01L29/78 656C
, H01L29/78 658L
4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106BA14
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)
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