特許

J-GLOBAL ID：200903034207374137

半導体装置およびその製造方法

発明者： 齊藤 朋広 ,  宮本 正文 ,  三谷 真一郎 ,  野中 裕介 ,  柳沢 泰伸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-012574
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203275
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 2種以上の電源電圧を有する半導体装置において低電圧電界効果トランジスタの性能を維持したまま、高電圧で駆動する電界効果トランジスタのホットキャリア耐性を向上させる。【解決手段】 高電圧nMISQN1および高電圧pMISQP1の形成領域に1つのパンチスルーストッパ用の半導体領域8a(8ap,8an)を形成し、低電圧nMISQN2および低電圧pMISQP2の形成領域に2つのパンチスルーストッパ用の半導体領域8a(8ap,8an),8b(8bp,8bn)を形成した。

請求項（抜粋）：

2種以上の電源電圧を有する半導体装置において、相対的に低い電源電圧で駆動する電界効果トランジスタにおいては、その電界効果トランジスタのチャネルと逆導電型の半導体領域を2重構造とし、相対的に高い電源電圧で駆動する電界効果トランジスタにおいては、その電界効果トランジスタのチャネルと逆導電型の半導体領域を1重構造としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 27/10 461 ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/04 U ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 616 V

Fターム (94件)：

5F038BH20 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ18 ,  5F040DA17 ,  5F040DA18 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EB12 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040ED01 ,  5F040ED05 ,  5F040EF02 ,  5F040EH02 ,  5F040EH05 ,  5F040EJ03 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040EM01 ,  5F040EM03 ,  5F040FA05 ,  5F040FA07 ,  5F040FB02 ,  5F048AA00 ,  5F048AA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F083GA19 ,  5F083GA24 ,  5F083GA28 ,  5F083GA30 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA32 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR29 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA08 ,  5F083ZA11 ,  5F083ZA27 ,  5F110AA13 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK03 ,  5F110HK33 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-019066   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-326518   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-066615   出願人：松下電子工業株式会社
• 電界効果トランジスタ、それを有する半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-162441   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-205651   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-238396   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-260603   出願人：株式会社デンソー