特許
J-GLOBAL ID：200903034296114321

X線撮像装置

発明者：
池田 光志

池田 光志 について

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熱田 昌己

熱田 昌己 について

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田中 学

田中 学 について

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金野 晃

金野 晃 について

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鈴木 公平

鈴木 公平 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070804
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274444
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 TFTのリーク電流を抑制することにより、X線強度を弱くしても十分なダイナミックレンジを確保する。【解決手段】 複数配列された画素からなる検出部に入射したX線を電荷に変換するX線電荷変換膜2と、各画素に対応して設けられX線電荷変換膜2で変換された電荷を蓄積する蓄積容量3と、蓄積容量3に対応して設けられ蓄積容量3に蓄積された電荷を読み出すa-Si薄膜トランジスタ1とを有し、薄膜トランジスタ1のソース領域、ドレイン領域又はチャネル形成領域の少なくとも一つの領域の半導体は所定の不純物を含有しており、この所定の不純物が含有されていないときに比べてバンドギャップが広くなっている。
請求項（抜粋）：
複数配列された画素からなる検出部に入射したX線を電荷に変換する変換手段と、各画素に対応して設けられ前記変換手段で変換された電荷を蓄積する蓄積手段と、この蓄積手段に対応して設けられこの蓄積手段に蓄積された電荷を読み出す薄膜トランジスタからなる読み出し手段とを有し、前記薄膜トランジスタのソース領域、ドレイン領域又はチャネル形成領域の少なくとも一つの領域の半導体は所定の不純物を含有しており該所定の不純物が含有されていないときに比べてバンドギャップが広いものであることを特徴とするX線撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/14 ,  G01T 1/24
FI (2件)：
H01L 27/14 K ,  G01T 1/24
引用特許：
審査官引用 (15件)
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