特許
J-GLOBAL ID：200903035486787183
誘電体キャパシタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-152714
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353414
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】 誘電体膜に対する還元性元素等の外部物質の進入拡散を防止することによって,良好な電気的特性を示す誘電体キャパシタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 強誘電体キャパシタC103によれば,第1水素拡散防止膜101によって,酸化膜7および酸化膜9を成膜する際に発生する水素の強誘電体膜4への進入拡散が阻止される。さらに,強誘電体膜4の側壁部は,第2水素拡散防止膜102によって覆われているため,この側壁部から強誘電体膜4への水素の進入も完全に阻止される。したがって,強誘電体膜4の電気的特性は良好に保たれる。また,酸化膜7の上面には第2水素拡散防止膜102が存在しないため,強誘電体キャパシタC103の高さが必要最低限に抑えられる。このことは強誘電体キャパシタC103が形成される半導体装置全体の平坦化に関して有利に働く。
請求項（抜粋）：
下部電極と,前記下部電極上に形成された金属酸化物からなる誘電体膜と,前記誘電体膜上に形成された上部電極と,前記上部電極上を含む前記誘電体膜上に形成された機能膜と,少なくとも前記誘電体膜と前記機能膜との間に位置する第1バリア膜と,少なくとも前記誘電体膜の側壁部を覆う第2バリア膜と,を含んで成る誘電体キャパシタであって,前記第2バリア膜は,前記下部電極,前記誘電体膜,前記上部電極,前記第1バリア膜,および前記機能膜から成るキャパシタ部に設けられたサイドウォールであることを特徴とする,誘電体キャパシタ。
Fターム (11件)：
5F083FR01
, 5F083GA25
, 5F083JA17
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA56
, 5F083PR03
, 5F083PR07
, 5F083PR10
, 5F083PR22
, 5F083PR23
