特許
J-GLOBAL ID：200903055742356501

半導体装置及びその製造方法

発明者：
五十嵐 泰史

五十嵐 泰史 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-118226
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314047
出願日： 2001年04月17日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【目的】 容量絶縁膜として金属酸化物よりなる絶縁膜を用いたキャパシタにおいて、十分なH2拡散を防止する保護膜を有するとともに、相互反応等による容量絶縁膜の膜質劣化を防止し、より高い信頼性を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の半導体装置は、半導体基板110の一表面上に設けられる、下部電極120、金属酸化物からなる容量絶縁膜130、上部電極140より構成されるキャパシタと、キャパシタの上に設けられる、オゾンTEOS膜150と、オゾンTEOS膜150上に配置されるとともに、キャパシタの上面を被覆する保護膜160と、保護膜160上に配置され、オゾンTEOS膜150よりも膜厚の厚い層間絶縁膜170とから構成される。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の表面上に設けられ、下部電極と、前記下部電極上に形成された金属酸化物からなる容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に形成された上部電極とを含む容量素子と、オゾンを含むガスを用いて成膜され、前記容量素子の上面を被覆する第1シリコン酸化膜と、前記容量素子の上面に対応する前記第1シリコン酸化膜上を被覆する保護膜と、前記保護膜上に配置され、前記第1シリコン酸化膜よりも膜厚の厚い絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108
FI (4件)：
H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651
Fターム (14件)：
5F058BA07 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BF02 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH01 ,  5F083AD22 ,  5F083FR01 ,  5F083GA21 ,  5F083JA17 ,  5F083NA08 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (8件)
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