特許
J-GLOBAL ID：200903035542972614
裏面照射型固体撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-021202
公開番号（公開出願番号）：特開2009-182223
出願日： 2008年01月31日
公開日（公表日）： 2009年08月13日
要約：
【課題】 裏面照射型固体撮像素子の撮像画像の解像度を向上させ、且つ混色を無くす。【解決手段】 半導体基板2の第1面側に二次元アレイ状に複数のフォトダイオード3が形成され、半導体基板2の第2面側から入射した光によって発生した信号電荷をフォトダイオード3の各々が検出する裏面照射型固体撮像素子において、フォトダイオード3の各々を隣接するフォトダイオード3から分離するトレンチ構造の溝を持つ素子分離領域31が第2面側に形成されている。トレンチ溝によって、信号電荷の隣接画素方向への拡散や入射光の隣接画素方向への漏れ込みが抑制される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の第1面(以下、表面という。)側に二次元アレイ状に複数のフォトダイオードが形成され、該半導体基板の第2面(以下、裏面という。)側から入射した光によって発生した信号電荷を前記フォトダイオードの各々が検出する裏面照射型固体撮像素子において、前記フォトダイオードの各々を隣接する前記フォトダイオードから分離するトレンチ構造の溝を持つ素子分離領域が前記裏面側に形成されていることを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 B
, H04N5/335 U
4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118CA02
, 4M118CB14
, 4M118DA03
, 4M118EA01
, 4M118FA06
, 4M118FA13
, 4M118FA25
, 4M118GA02
, 4M118GA09
, 4M118GA10
, 4M118GB06
, 4M118GB11
, 4M118GC08
, 4M118GD04
, 5C024AX01
, 5C024BX01
, 5C024CX37
, 5C024CY47
, 5C024DX01
, 5C024EX43
, 5C024EX52
, 5C024GX03
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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