特許

J-GLOBAL ID：200903036047046637

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 田村 仁 ,  田中 基裕 ,  西森 康博 ,  坂口 正道
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 特許業務法人 武和国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-048082
公開番号（公開出願番号）：特開2009-206344
出願日： 2008年02月28日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：

【課題】プラズマ処理装置の稼働率を高め、長期間に渡り良好なプラズマ処理性能を維持する。【解決手段】被処理基板を載置する基板電極112および所定流量の処理ガスを供給するガス供給装置109を備えた処理室と、該処理室の圧力またはガス密度を制御可能な排気速度可変の真空排気手段118と、前記処理室内にプラズマを発生する機構101とを備えたプラズマ処理装置において、前記処理室内のガス密度を測定する機構および測定したガス密度をもとに処理室内のガス密度を一定に制御する。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板を載置する基板電極および所定流量の処理ガスを供給するガス供給装置を備えた処理室と、 該処理室の圧力またはガス密度を制御可能な排気速度可変の真空排気手段と、 前記処理室内にプラズマを発生する機構とを備えたプラズマ処理装置において、 前記処理室内のガス密度を測定する機構を備え、測定したガス密度をもとに処理室内のガス密度を一定に制御することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 101D

Fターム (11件)：

5F004AA01 ,  5F004BA14 ,  5F004BB11 ,  5F004BB14 ,  5F004BC02 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004CB01 ,  5F004DA25

引用特許：

出願人引用 (3件)

• プラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-011162   出願人：住友金属工業株式会社
• プラズマ処理装置およびその管理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-424146   出願人：松下電器産業株式会社
• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-331766   出願人：株式会社日本自動車部品総合研究所, 日本電装株式会社

審査官引用 (5件)

• プラズマの生成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-282159   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• プラズマ処理システム及び方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-541630   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 枚葉式半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-087635   出願人：国際電気株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-266050   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-166389