半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：荒船博司 , 荒船良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-378783
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186134
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】ショットキ障壁とPIN構造による整流部を複合したJBS半導体装置において、逆バイアス時の印加電圧の低い領域から漏れ電流の低減を図ることができるP型領域の新規な構造を提供する。【解決手段】P型領域をP型半導体領域4とP型表面層5とし、P型半導体領域4を凹部3にトレンチ製法で深く形成し、P型半導体領域4間にP型表面層5をプレーナ製法により浅く形成し、平面的には図13〜15のように均等分散配置した。原則的にP型領域はショットキ障壁金属膜6とオーミック接触としたが、P型半導体領域4の表層を低濃度としてショットキ障壁金属膜6とP型ショットキ接合のみにより接続する構造も提供した。【効果】P型表面層5で浅い領域に狭いチャネル幅を精度良く形成でき、浅い領域でのピンチオフと凹部3に形成されたP型半導体領域4による深い領域までのピンチオフを2段階で引き起こし、これにより顕著な逆阻止効果を奏する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に前記半導体基板より低不純物濃度の第1導電型で形成された半導体層と、前記半導体層の表面に掘られた複数の凹部と、前記凹部に接し前記半導体層の前記表面から前記半導体基板に達しない所定の深さまで形成された第2導電型半導体領域と、対峙する2つの前記第2導電型半導体領域間の当該2つの第2導電型半導体領域から離間された位置に、前記半導体層の前記表面から前記第2導電型半導体領域より浅い所定の深さまで形成された第2導電型の半導体領域(以下「第2導電型表面層」という。)と、前記半導体層上に形成されたショットキ障壁金属膜と、前記半導体基板の前記半導体層と反対側の面に形成された電極金属膜とを備え、前記ショットキ障壁金属膜は、前記半導体層の第1導電型領域と第1導電型のショットキ接触をし、第2導電型表面層とオーミック接触し、前記第2導電型半導体領域とオーミック接触し、前記電極金属膜は前記半導体基板とオーミック接触し、前記半導体層の第1導電型領域は、前記第2導電型半導体領域及び第2導電型表面層のそれぞれとPN接合を構成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/861 , H01L 29/872 , H01L 29/47

FI (2件)：

H01L29/91 C , H01L29/48 F

Fターム (6件)：

4M104AA01 , 4M104BB09 , 4M104BB16 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104GG03

引用特許：

出願人引用 (9件)

ショットキーバリアダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-051591 出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
整流用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-273171 出願人：新電元工業株式会社
特許3357793

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