強誘電体キャパシタ、半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-057601
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260954
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】強誘電体キャパシタを有する半導体装置において、疲労特性を向上させ、リーク電流を最小化し、低電圧動作を可能にする。【解決手段】キャパシタ絶縁膜膜にPbを過剰に含むPZTを使い、上側電極を厚さが30nm以下のSrRuO3 膜とPt膜の積層構造とする。また上側電極を形成した後で、600°C以上の温度で熱処理を行ない、上側電極中のSrRuO3 膜を結晶化させる。

請求項（抜粋）：

下側電極と、前記下側電極上に形成した強誘電体キャパシタ絶縁膜と、前記強誘電体キャパシタ絶縁膜上に形成した、ペロブスカイト型酸化物よりなる上側電極とを備えた強誘電体キャパシタにおいて、前記強誘電体キャパシタ絶縁膜はPZTよりなり、前記PZTは、Pbを過剰に含むことを特徴とする強誘電体キャパシタ。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Fターム (18件)：

5F001AA17 , 5F001AD11 , 5F001AG10 , 5F038AC02 , 5F038AC11 , 5F038AC14 , 5F038BH03 , 5F038BH07 , 5F038DF05 , 5F083FR02 , 5F083JA12 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA42 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR03 , 5F083PR48

引用特許：

審査官引用 (8件)

強誘電体不揮発性メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-161422 出願人：ソニー株式会社
薄膜キャパシタおよびこれを用いた半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-011429 出願人：株式会社東芝
特願平10-319160
出願番号：特願平10-319160

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