特許
J-GLOBAL ID：200903037617335847

半導体装置および半導体マスクレイアウト方法

発明者：
立岩 健二

立岩 健二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-101875
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286263
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 高密度半導体装置において、高アスペクト比のコンタクトにおけるコンタクト抵抗の上昇を抑制する。【解決手段】 素子分離領域で分離された複数の半導体領域(201,204)と、複数の半導体領域の上の少なくとも一層の層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上の複数の配線層と、複数の半導体領域と複数の配線層を電気的に接続するために層間絶縁膜の中に設けられた複数のコンタクト(203,205)とを備えた半導体装置であって、複数のコンタクトは、最も隣接するコンタクトとの距離が3μm以上である第1のコンタクト群(205)と、最も隣接するコンタクトとの距離が3μm未満である第2のコンタクト群(203)とを含み、第1のコンタクト群のコンタクトホール径が、第2のコンタクト群のコンタクトホール径よりも大きい構成とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
素子分離領域で分離された複数の半導体領域と、 前記複数の半導体領域の上の少なくとも一層の層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜の上の複数の配線層と、 前記複数の半導体領域と前記複数の配線層を電気的に接続するために前記層間絶縁膜の中に設けられた複数のコンタクトとを備えた半導体装置であって、 前記複数のコンタクトは、最も隣接するコンタクトとの距離が3μm以上である第1のコンタクト群と、最も隣接するコンタクトとの距離が3μm未満である第2のコンタクト群とを含み、 前記第1のコンタクト群のコンタクトホール径が、前記第2のコンタクト群のコンタクトホール径よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L21/82 ,  G03F1/08 ,  G06F17/50 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768
FI (5件)：
H01L21/82 P ,  G03F1/08 A ,  G06F17/50 658J ,  H01L21/90 A ,  H01L21/30 502P
Fターム (18件)：
2H095BB02 ,  5B046AA08 ,  5B046BA06 ,  5F033NN34 ,  5F033UU04 ,  5F033VV01 ,  5F033VV06 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033XX04 ,  5F033XX09 ,  5F064DD02 ,  5F064DD05 ,  5F064DD08 ,  5F064EE14 ,  5F064EE26 ,  5F064EE27 ,  5F064EE42
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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