特許
J-GLOBAL ID：200903037622421840
研磨液の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-084250
公開番号（公開出願番号）：特開平10-279927
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年10月20日
要約：
【要約】【課題】半導体装置の製造において、CMP(化学的機械研磨)工程の際に用いる研磨液の製造方法に関する。半導体ウェハ表面をCMPにょり平坦化する際、半導体ウェハ面内の研磨速度の均一性を向上させる。【解決手段】まずアンモニア溶液とシリカ砥粒を含む溶液を混合してpH10から11.5の溶液を作る。例えば、研磨砥粒には粒径が、1nm〜150nm程度のシリカ若しくはコロイダルシリカを用い、アルカリ性溶液には、NaOHやKOH若しくはNH4OH(アンモニア水)等を用いる。しかる後、溶液を撹押しながらアンモニア揮発させてpHを8.5から9.5に低下させて研磨液を完成させる。【効果】ウェハ中心付近の研磨速度と外周付近の研磨速度がほぼ等しくなり、均一性良く研磨される。
請求項（抜粋）：
次の各工程を含むことを特徴とする研磨液の製造方法。(a)アンモニア溶液とシリカ砥粒を含む溶液を混合し、pH10から11.5の溶液を作る第一工程。(b)該溶液を攪拌しなからアンモニアを揮発せしめ、pHを8.5から9.5に低下させる第二工程。
IPC (2件)：
C09K 3/14 550
, H01L 21/304 321
C09K 3/14 550 D
, H01L 21/304 321 P
