特許
J-GLOBAL ID：200903037651324781

加工方法及び電子デバイスの製造方法

発明者：
奥村 智洋

奥村 智洋 について

, 
木村 忠司

木村 忠司 について

, 
斎藤 光央

斎藤 光央 について

, 
矢代 陽一郎

矢代 陽一郎 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-231432
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045853
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 ガリウムまたはインジウムを含む化合物半導体材料を精度よく高速に加工する。【解決手段】 真空容器1内に、ガス供給装置2からアルゴンとヨウ化メタンの混合ガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源4により100MHzの高周波電力をアンテナ5に供給することにより、真空容器1内にプラズマを発生させ、基板電極6上に載置された基板7上に形成されたガリウムまたはインジウムを含む化合物半導体薄膜をエッチングする。
請求項（抜粋）：
真空容器内の基板電極に基板を載置し、真空容器内に1価ハロゲン化メタンガスを含むガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプラズマを発生させ、基板上に形成されたガリウムまたはインジウムを含む化合物半導体薄膜をエッチングすることを特徴とする加工方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/343 610
FI (3件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/302 F ,  H01L 29/80 U
Fターム (27件)：
5F004AA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DB19 ,  5F004EB01 ,  5F073AA11 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102HC16 ,  5F102HC18
引用特許：
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM