特許
J-GLOBAL ID:200903037780211810
有機エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-354053
公開番号(公開出願番号):特開2002-158089
出願日: 2000年11月21日
公開日(公表日): 2002年05月31日
要約:
【要約】【課題】容易にパターンニングすることができ、接合面の接着性を改善すると同時に、生産性の良い有機EL表示素子の製造方法を提供する。【解決手段】基材1上に、第一電極層2と第一有機EL層を順次形成し、一方で支持体8上に、第二電極層6と第二有機EL層を順次形成する。次に、基材1と支持体8を、それぞれの上にすでに形成した第一の接合層と第二の接合層が対向するように配置し、支持体の所定箇所を、サーマルヘッド9などで熱圧押し、支持体8上に形成した第二電極層6、第二有機EL層を、基材上に形成した第一電極層2、第一有機EL層上に転写パターニングする。
請求項(抜粋):
基材上に、第一電極層と有機エレクトロルミネッセンス層と第二電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法において、前記基材上に前記第一電極層と前記有機エレクトロルミネッセンス層のうち第一の接合層までからなる第一有機エレクトロルミネッセンス層を順次積層形成する工程、剥離性を有する支持体上に前記第二電極層と前記有機エレクトロルミネッセンス層のうち前記第二電極層に隣接する層から第二の接合層までからなる第二有機エレクトロルミネッセンス層を順次積層形成する工程、前記第一の接合層と前記第二の接合層とを対向密着させて前記支持体の所定箇所を加熱押圧することにより前記第二電極層と前記第二有機エレクトロルミネッセンス層の所定箇所を前記第一電極層および前記第一有機エレクトロルミネッセンス層を有する基材上に転写する工程、を含むことを特徴とした有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H05B 33/10
, H05B 33/14 A
Fターム (9件):
3K007AB18
, 3K007CA06
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EA01
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 3K007FA02
引用特許:
前のページに戻る