特許
J-GLOBAL ID：200903038129905428

単結晶炭素薄膜形成方法および軸配向多結晶炭素薄膜形成方法

発明者：
植山 須美義

植山 須美義 について

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吉水 敏和

吉水 敏和 について

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進藤 晶弘

進藤 晶弘 について


出願人/特許権者：
株式会社クリスタルデバイス

株式会社クリスタルデバイス について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-013656
公開番号（公開出願番号）：特開平7-315990
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1995年12月05日
要約：
【要約】【目的】 基板の上に単結晶炭素薄膜を形成する。【構成】 基板11の上には、薄膜の成長速度、成長面積等において高い効率が得られる従来の方法を用いて、炭素物質のアモルファス薄膜または多結晶薄膜が形成されている。ECRイオン源2で発生した低エネルギーのHeビームは反射ブロック106および反射板110によって二重に反射される結果、炭素物質の単結晶構造における最稠密面に垂直な複数方向から基板11の上へと入射する。このため、基板11上の薄膜が結晶方位の揃った単結晶炭素薄膜へと転換される。【効果】 ビームを照射するという簡単な工程を施すことによって、機械的、熱的、および電気的特性などの膜質の改善が実現する。しかも、かつて実現し得なかった低圧下での単結晶炭素薄膜の形成が容易に、かつ経済的に実現する。
請求項（抜粋）：
基板の上に炭素物質の単結晶薄膜を形成する単結晶炭素薄膜形成方法であって、前記基板の上に前記炭素物質のアモルファス薄膜または多結晶薄膜をあらかじめ形成しておき、前記炭素物質の結晶化温度以下の高温下で、形成すべき前記単結晶薄膜における方向の相異なる複数の最稠密結晶面に垂直な方向から、前記炭素物質のスパッタリングを引き起こさない低エネルギーの気体のビームを、前記アモルファス薄膜または前記多結晶薄膜へ照射することを特徴とする単結晶炭素薄膜形成方法。
IPC (3件)：
C30B 29/04 ,  C30B 1/04 ,  H01L 21/20
引用特許：
出願人引用 (21件)
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審査官引用 (7件)
  • 特開平1-261214
  • 特開平1-141896
  • 特開昭63-206387
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