特許
J-GLOBAL ID：200903038160421099
半導体パワーモジュール及び半導体装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
作田 康夫
, 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-232885
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054227
出願日： 2004年08月10日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：
【課題】 洗浄液を用いる洗浄工程なしで半田付け工程にワイヤボンド工程、あるいはワイヤボンド工程後のエポキシ系樹脂封止する工程によって製造した半導体パワーモジュールの提供。【解決手段】 本発明の半導体パワーモジュールは、接合面積が大きく、ボイドの少ないチップ及び基板の接続、さらにはファインピッチの高密度実装を、ペースト印刷方式で半田を供給し、水素雰囲気と減圧を組み合わせた炉を用い、ペーストのフラックスをノンハロゲン、ロジンレスで、半田付け温度以下の温度でフラックス成分を揮発させて、表面を無洗浄で清浄化させた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一方の面に導電層を有する絶縁基板に、半導体チップを半田層を介して該導電層に接合した半導体パワーモジュールにおいて、
該半導体パワーモジュールの、前記半導体チップの半田付けが、
前記半導体チップと導電層との間に配置したロジンレスフラックスのペースト半田を真空排気する第1の真空排気工程と、
該第1の真空排気工程の後で、還元性ガス雰囲気で予め定めた温度に昇温し、所定の時間保持するリフロー工程と、
該リフロー工程の後で、排気する第2の真空排気工程と、
該第2の真空排気工程の後で、還元性ガス雰囲気で冷却する冷却工程と、
該冷却工程の後で真空排気する第3の真空排気工程と、
該第3の真空排気工程の後で不活性ガス封入する不活性ガス封入工程とによってなされていることを特徴とする半導体パワーモジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/52 C
, H01L21/56 R
5F047AA13
, 5F047AA17
, 5F047BA01
, 5F047FA59
, 5F047FA62
, 5F047FA63
, 5F061AA01
, 5F061BA04
, 5F061CA02
, 5F061CB12
, 5F061FA02
出願人引用 (1件)
審査官引用 (14件)
全件表示
前のページに戻る
