特許
J-GLOBAL ID：200903059060708100

トンネル型磁気抵抗効果型素子及びその製造方法

発明者：
長谷川 直也

長谷川 直也 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-216347
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033532
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 従来のトンネル型磁気抵抗効果型素子では、再生波形が不安定化し、また再現性良く磁気素子を製造することができなかった。【解決手段】 多層膜21の両側に絶縁層31を形成し、さらにフリー磁性層30の両側端面の少なくとも一部に接するようにバイアス層33を形成する。また前記バイアス層33は多層膜21の上面に延出形成されていない。この構成によって電極層20,34からのセンス電流は適切に多層膜21内を流れ、しかも前記バイアス層33からのバイアス磁界を前記フリー磁性層30の両側端面から供給することができる。さらに前記フリー磁性層30の磁区構造を安定化でき、再生波形の安定性及びバルクハウゼンノイズの低減を図ることができる。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、前記反強磁性層上に接して形成され、前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層上に絶縁障壁層を介して形成されたフリー磁性層とを有する多層膜と、前記多層膜の上下に形成された電極層とを有し、前記多層膜のトラック幅方向の両側には、絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、少なくとも前記フリー磁性層の両側端面の一部に接し、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ揃えるための磁区制御層とが形成され、前記磁区制御層は、前記多層膜の上面に延出形成されていないことを特徴とするトンネル型磁気抵抗効果型素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01L 43/12
FI (4件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01L 43/12
Fターム (16件)：
5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA11 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049CC01 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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