特許
J-GLOBAL ID：200903038754070687

絶縁膜形成方法

発明者：
山崎 治

山崎 治 について

, 
小田部 隆宏

小田部 隆宏 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-352065
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166374
出願日： 2006年12月27日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
【課題】 膜強度の強化と、膜中の水分或いはOH基の脱離とを効率的に実行可能な絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 所定の原料ガス雰囲気下で第2低誘電率絶縁膜8を所望膜厚より薄い膜厚分成膜し、その後、大気暴露することなく、第2低誘電率絶縁膜8の成膜工程と同一基板温度、同一圧力下でO2ガス処理を施し、第2低誘電率絶縁膜8中の残存未反応原料の脱離処理、終端化処理、或いは膜中に吸着形成されたOH基の脱離処理を行う。その後、第2キャップ絶縁膜11を成膜する。以下、第2低誘電率絶縁膜と第2キャップ絶縁膜との膜厚合計が所望膜厚になるまで、第2低誘電率絶縁膜成膜工程、残存未反応原料脱離工程、及び第2キャップ絶縁膜成膜工程を複数回繰り返して行う。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板上に絶縁膜を形成する工程において、 第1絶縁膜を所望膜厚より薄い膜厚分成膜する第1工程と、 前記第1工程終了後に、大気暴露することなく、前記第1絶縁膜中の残存未反応原料の脱離処理、前記第1絶縁膜の未結合手の終端化処理、又は前記第1絶縁膜中に吸着したOH基の脱離処理の内の少なくとも一処理を誘起させる第2工程と、を有し、 前記第1絶縁膜が前記所望膜厚分堆積されるまで前記第1工程及び前記第2工程を複数回繰り返し行うことを特徴とする絶縁膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
H01L21/90 P ,  H01L21/316 P
Fターム (41件)：
5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR29 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX12 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BH16 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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