半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森下賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-083887
公開番号（公開出願番号）：特開2005-276877
出願日： 2004年03月23日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】信頼性に優れる半導体装置を得る。【解決手段】シリコン基板102と、シリコン基板102の素子形成面に設けられたMOSトランジスタに備わるゲート電極110と、少なくとも一部がシリコン基板102の内部に設けられており、ゲート電極110の延在部位のシリコン基板102側の領域と接続する導電部材と、を備え、ゲート電極110のシリコン基板102側の領域は、多結晶シリコン、非晶質シリコン、微結晶シリコン、単結晶シリコン、WおよびTiNからなる群から選択される一以上の材料により構成されている半導体装置を提供する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の素子形成面に設けられた半導体素子に備わる電極と、少なくとも一部が前記基板の内部に設けられており、前記電極の延在部位の前記基板側の領域と接続する導電部材と、を備え、前記電極の前記基板側の領域は、多結晶シリコン、非晶質シリコン、微結晶シリコン、単結晶シリコン、WおよびTiNからなる群から選択される一以上の材料により構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/3205 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (3件)：

H01L21/88 J , H01L29/58 G , H01L29/50 M

Fターム (66件)：

4M104AA01 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB04 , 4M104BB18 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB28 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD12 , 4M104DD16 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD84 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104HH16 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK04 , 5F033KK06 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033KK25 , 5F033KK26 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033KK33 , 5F033MM05 , 5F033MM07 , 5F033MM30 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ34 , 5F033QQ37 , 5F033QQ53 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033VV06 , 5F033XX09

引用特許：

出願人引用 (2件)

超小形集積電子デバイスにおける両面貫通接触の形成方法及び本方法で形成された超小形集積電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-330573 出願人：エスティーマイクロエレクトロニクスソチエタレスポンサビリタリミテ
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-111571 出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (8件)

電磁的両立性を最適化した電力スイッチ
公報種別：公表公報出願番号：特願平11-541954 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特許第6278181号
半導体チップの製造方法および半導体チップならびに半導体モジュール、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-371188 出願人：セイコーエプソン株式会社

全件表示

前のページに戻る