特許
J-GLOBAL ID:200903039288421624
多層配線基板
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
金山 聡
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-405464
公開番号(公開出願番号):特開2005-167048
出願日: 2003年12月04日
公開日(公表日): 2005年06月23日
要約:
【課題】 伝送特性等の電気特性に優れ、微細化、狭ピッチ化に対応し、電着方法等の絶縁膜形成方法も可能で製造コストを低減できる多層配線基板を提供する。【解決手段】 コア基板と、該コア基板の片面もしくは両面上に絶縁層を介して配線層と絶縁層とを積層してなる多層配線基板において、前記コア基板に用いるコア材がシリコンであり、該シリコンの比抵抗が10Ωcm以上であり、さらに好ましい形態として該シリコンの比抵抗が10Ωcm以上であり50Ωcm以下であることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
コア基板と、該コア基板の片面もしくは両面上に絶縁層を介して配線層と絶縁層とを積層してなる多層配線基板において、前記コア基板に用いるコア材がシリコンであり、該シリコンの比抵抗が10Ωcm以上であることを特徴とする多層配線基板。
IPC (2件):
FI (3件):
H05K3/46 T
, H05K3/46 N
, H01L23/12 N
Fターム (28件):
5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA43
, 5E346CC08
, 5E346CC10
, 5E346CC16
, 5E346CC32
, 5E346CC37
, 5E346CC38
, 5E346CC39
, 5E346CC52
, 5E346DD03
, 5E346DD22
, 5E346DD32
, 5E346DD33
, 5E346DD44
, 5E346EE33
, 5E346FF01
, 5E346FF04
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG18
, 5E346GG19
, 5E346GG22
, 5E346HH06
, 5E346HH22
, 5E346HH25
, 5E346HH33
引用特許: