半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：北野好人 , 三村治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-172035
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351581
出願日： 2005年06月13日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：

【課題】薄いニッケル膜を用いてシリコンゲルマニウム層をシリサイド化する場合であっても、シート抵抗の上昇や接合リーク電流の増加を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板34上にゲート電極54pを形成する工程と、ゲート電極の両側の半導体基板内にソース/ドレイン拡散層64pを形成する工程と、ソース/ドレイン拡散層にシリコンゲルマニウム層100bを埋め込む工程と、シリコンゲルマニウム層の上部にアモルファス層101を形成する工程と、アモルファス層上にニッケル膜66を形成する工程と、熱処理を行い、ニッケル膜とアモルファス層とを反応させることにより、シリコンゲルマニウム層上にシリサイド膜102bを形成する工程とを有している。【選択図】図21

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、ゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板内に、ソース/ドレイン拡散層を形成する工程と、前記ソース/ドレイン拡散層に、シリコンゲルマニウム層を埋め込む工程と、前記シリコンゲルマニウム層の上部に、アモルファス層を形成する工程と、前記アモルファス層上に、ニッケル膜を形成する工程と、熱処理を行い、前記ニッケル膜とアモルファス層とを反応させることにより、前記シリコンゲルマニウム層上にシリサイド膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 21/336 , H01L 21/823 , H01L 27/092

FI (6件)：

H01L29/78 301S , H01L21/28 301S , H01L29/50 M , H01L29/78 301P , H01L27/08 321E , H01L27/08 321F

Fターム (104件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB21 , 4M104BB36 , 4M104DD02 , 4M104DD21 , 4M104DD23 , 4M104DD50 , 4M104DD78 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104HH04 , 4M104HH16 , 5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA10 , 5F048BB04 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB10 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BB18 , 5F048BC01 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BC15 , 5F048BC18 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA01 , 5F140AA10 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BC06 , 5F140BF04 , 5F140BF14 , 5F140BF21 , 5F140BF23 , 5F140BF34 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG26 , 5F140BG28 , 5F140BG29 , 5F140BG30 , 5F140BG32 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG54 , 5F140BH13 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BH22 , 5F140BH27 , 5F140BJ03 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK11 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK24 , 5F140BK26 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CA06 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC13 , 5F140CE07 , 5F140CF04 , 5F140CF05

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-058865 出願人：富士通株式会社
米国特許第6621131号明細書
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-370878 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (9件)

特許第6255214号
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-205762 出願人：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-077648 出願人：株式会社東芝

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