特許
J-GLOBAL ID：200903039565738568

半導体発光素子

発明者：
佐野 雅彦

佐野 雅彦 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-044801
公開番号（公開出願番号）：特開2008-210903
出願日： 2007年02月25日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：
【課題】 発光素子において、電力効率に優れた発光構造とする。【解決手段】第1,2導電型半導体層21,23を含む半導体構造20に、発光構造部25と、第1導電型半導体層21が露出された露出部21sと、を備え、前記半導体素子構造の同一面側において前記第1導電型半導体層21、第2導電型半導体層23に各々設けられた第1電極30、第2電極40と、を有し、前記第1電極が、前記第1導電型半導体層21の露出部21sに設けられ、透光性導電膜で第1導電型半導体に導通する第1層31と、該第1層上に第1層に導通するように設けられた第2層32と、を少なくとも有すると共に、前記露出部の第1導電型半導体層と第2層32との間に、第1の透光性の絶縁膜17が前記第2層の少なくとも一部と重なるように設けられている。これにより、好適な電流注入と、外部電源との接続部を備えた構造とでき、光損失を低く抑えた構造とできる。【選択図】図1B
請求項（抜粋）：
第1,2導電型半導体層を含む半導体構造に、発光構造部と、第1導電型半導体層が露出された露出部と、を備え、前記半導体素子構造の同一面側において前記第1導電型半導体層、第2導電型半導体層に各々設けられた第1電極、第2電極と、を有し、 前記第1電極が、前記第1導電型半導体層の露出部に設けられ、透光性導電膜で第1導電型半導体に導通する第1層と、該第1層上に第1層と導通するように設けられた第2層と、を少なくとも有すると共に、 前記露出部の第1導電型半導体層と第2層との間に、第1の透光性絶縁膜が前記第2層の少なくとも一部と重なるように設けられている半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L33/00 E
Fターム (16件)：
5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA19 ,  5F041DA43 ,  5F041DB01 ,  5F041DB09 ,  5F041EE17 ,  5F041EE25
引用特許：
出願人引用 (12件)
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