特許
J-GLOBAL ID：200903039705765200

ナノ構造体の製造方法

発明者：
松尾 康弘

松尾 康弘 について

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石部 芳浩

石部 芳浩 について

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木村 一己

木村 一己 について

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野村 健太郎

野村 健太郎 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-233286
公開番号（公開出願番号）：特開2006-124827
出願日： 2005年08月11日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 ナノメートル(nm)の細孔で孔径が先細り形状の細孔を製造することができるナノ構造体の製造方法を得ること。【解決手段】 AlもしくはAl合金1を陽極酸化し、孔3を有する陽極酸化皮膜2を形成する陽極酸化工程と、該孔の孔径を広げるポアワイド工程とを交互に繰り返すことにより、該孔の孔径を深さ方向に向かって変化させること。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
AlもしくはAl合金を陽極酸化し、孔を有する陽極酸化皮膜を形成する第1工程を行った後、該陽極酸化皮膜内の孔の孔径を広げる第2工程を行い、その後、該陽極酸化皮膜を陽極酸化し、該陽極酸化皮膜内の孔の孔径を深さ方向に向かって変化させる第3工程を少なくとも1回繰り返すことを特徴とするナノ構造体の製造方法。
IPC (5件)：
C25D 11/12 ,  C25D 11/04 ,  C25D 11/08 ,  B82B 3/00 ,  G02B 26/10
FI (6件)：
C25D11/12 Z ,  C25D11/04 302 ,  C25D11/04 301 ,  C25D11/08 ,  B82B3/00 ,  G02B26/10 E
Fターム (2件)：
2H045AA01 ,  2H045CA63
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (10件)
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