酸化薄膜の界面構造とその形成方法、及び薄膜トランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内祐二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-280808
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165628
出願日： 2003年07月28日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】比較的低いプロセス温度において、従来のPECDV法や熱酸化法によって形成された酸化物層より、材料自体の特性、及び界面特性に優れた酸化物層を形成する。【解決手段】本発明は、高密度誘導結合プラズマ法と化学蒸着法を使用した酸化物層の形成方法であって、シリコン層を形成する工程と、高密度プラズマ化学蒸着法を用いて400°C以下の温度で上記シリコン層上に酸化物層を形成する工程を含むことを特徴とする酸化薄膜の形成方法である。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

酸化薄膜の形成方法であって、シリコン層を形成する工程と、誘導結合プラズマを用いて400°C以下の温度で上記シリコン層上に酸化物層を形成する工程と、を含むことを特徴とする酸化薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (3件)：

H01L21/316 A , H01L21/316 X , H01L29/78 617V

Fターム (23件)：

5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF54 , 5F058BF73 , 5F058BJ04 , 5F110AA06 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110CC02 , 5F110FF02 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF25 , 5F110FF27 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15

引用特許：

出願人引用 (5件)

米国特許第6096661号明細書
米国特許第6159559号明細書
米国特許第5681418号明細書

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審査官引用 (13件)

薄膜トランジスタの製造方法およびそれに用いられるプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-364709 出願人：シャープ株式会社
絶縁膜の形成方法、半導体装置、製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-001042 出願人：シャープ株式会社
炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-367420 出願人：株式会社デンソー

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