エッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：岡田敬 , 須藤克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-310764
公開番号（公開出願番号）：特開2005-077955
出願日： 2003年09月02日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】エッチングファクターを向上させたエッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】被エッチング材としての導電箔11の表面にエッチングレジスト10を塗布する工程と、エッチングレジスト10を、露光マスク14を用いて選択的に露光させることにより、エッチングレジストを選択的に変質させて、断面の下部が上部よりも大きい残存領域としての非露光領域10Aを形成する工程と、溶液を用いて残存領域を除いたエッチングレジスト10を除去する工程と、残存領域をマスクとして導電箔をエッチングする工程とを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

被エッチング材の表面にエッチングレジストを形成する工程と、前記エッチングレジストを、露光マスクを用いて選択的に露光させることにより、前記エッチングレジストを選択的に変質させて、断面の下部が上部よりも大きい残存領域を形成する工程と、溶液を用いて前記残存領域を除いた前記エッチングレジストを除去する工程と、前記残存領域をマスクとして前記被エッチング材をエッチングする工程と、を有することを特徴とするエッチング方法。

IPC (10件)：

G03F7/40 , C23F1/00 , G03F7/20 , G03F7/30 , H01L21/027 , H05K3/00 , H05K3/06 , H05K3/28 , H05K3/34 , H05K3/46

FI (10件)：

G03F7/40 521 , C23F1/00 102 , G03F7/20 501 , G03F7/30 , H05K3/00 G , H05K3/06 E , H05K3/28 B , H05K3/34 507C , H05K3/46 G , H01L21/30 576

Fターム (54件)：

2H096AA27 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096HA23 , 2H096KA25 , 2H097BB10 , 2H097GA45 , 2H097JA03 , 2H097LA09 , 4K057WA10 , 4K057WA20 , 4K057WB04 , 4K057WC03 , 4K057WN01 , 5E314AA24 , 5E314BB01 , 5E314BB12 , 5E314CC01 , 5E314CC17 , 5E314FF01 , 5E314FF19 , 5E314FF21 , 5E314GG17 , 5E319AA03 , 5E319AC01 , 5E319CC33 , 5E319GG01 , 5E339AD01 , 5E339BC02 , 5E339BD11 , 5E339BE13 , 5E339CC01 , 5E339CC02 , 5E339CD01 , 5E339CE11 , 5E339CE16 , 5E339CE19 , 5E339CF16 , 5E339CF17 , 5E339CG04 , 5E339DD02 , 5E339GG02 , 5E346AA15 , 5E346CC32 , 5E346CC55 , 5E346CC58 , 5E346DD32 , 5E346DD44 , 5E346EE01 , 5E346GG18 , 5E346GG22 , 5E346GG25 , 5E346HH26 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

水溶性フォトレジストパターンの硬膜処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-299725 出願人：冨士薬品工業株式会社

審査官引用 (9件)

透明導電膜のパターニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-276300 出願人：富士電機株式会社
特開平4-122018
レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-013140 出願人：日本電気株式会社

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