特許
J-GLOBAL ID：200903040330511009
化学増幅型ホトレジスト及びそれを用いたレジストパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-113587
公開番号（公開出願番号）：特開平11-305442
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 KrFエキシマレーザーを用いて0.15〜0.22μmのような微細なレジストパターンを形成する際に、優れた感度、解像度を示し、かつ断面形状の良好なパターンを与える化学増幅型ホトレジストを提供する。【解決手段】 (A)ヒドロキシル基含有スチレン単位50〜85モル%、スチレン単位15〜35モル%及びアクリル酸又はメタクリル酸の第三ブチルエステル単位2〜20モル%からなる共重合体に、(B)放射線の照射により酸を発生する酸発生剤を配合して、化学増幅型ホトレジストとする。
請求項（抜粋）：
(A)酸によりアルカリに対する溶解度が増大する樹脂成分及び(B)放射線の照射により酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型ホトレジストにおいて、(A)成分が、ヒドロキシル基含有スチレン単位50〜85モル%、スチレン単位15〜35モル%及びアクリル酸又はメタクリル酸の第三ブチルエステル単位2〜20モル%からなる共重合体であることを特徴とする化学増幅型ホトレジスト。
IPC (3件)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/30 502 R
