特許
J-GLOBAL ID：200903041743485673
MEMSデバイスおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
, 宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-131316
公開番号（公開出願番号）：特開2008-119817
出願日： 2007年05月17日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するMEMSデバイス、およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に形成された多結晶シリコンからなる固定電極10と、シリコン基板1上に形成された窒化膜3と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置された多結晶シリコンからなる可動電極20と、可動電極20の周囲に形成され且つ固定電極10の一部を覆うように形成された第1層間絶縁膜13、第1配線層23、第2層間絶縁膜14、第2配線層24、および保護膜19がこの順に積層された配線積層部と、を有し、固定電極10の前記配線積層部に覆われた部分がシリサイド化されてシリサイド部分25が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたシリコンからなる固定電極と、
前記半導体基板と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置されたシリコンからなる可動電極と、
前記可動電極の周囲に形成されて、且つ、前記固定電極の一部を覆うように形成された配線積層部であって、配線を含む前記配線積層部と、
を有し、
前記固定電極または前記可動電極に不純物イオンが打ち込まれて、且つ、
前記固定電極の前記配線積層部に覆われた部分の少なくとも一部がシリサイド化されていることを特徴とするMEMSデバイス。
IPC (4件)：
B81B 3/00
, B81C 1/00
, H03H 9/24
, H03H 3/007
B81B3/00
, B81C1/00
, H03H9/24 Z
, H03H3/007 Z
3C081AA00
, 3C081AA13
, 3C081BA43
, 3C081BA46
, 3C081BA53
, 3C081CA03
, 3C081CA15
, 3C081CA16
, 3C081CA27
, 3C081CA40
, 3C081DA03
, 3C081DA27
, 3C081EA22
, 5J108BB08
, 5J108CC11
, 5J108FF05
, 5J108KK02
, 5J108MM14
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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