半導体装置

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-035681
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243528
出願日： 2002年02月13日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】応力による特性変化を防止できる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体基板10上に設けられ、半導体基板10と電気的に接続された第1半導体層13と、第1半導体層13の近傍に設けられ、半導体基板10と電気的に分離された第2半導体層12と、第1、第2半導体層13、12上にそれぞれ設けられ、第1、第2半導体層12、13の境界と平行に配置されたゲート電極16a、16dをそれぞれ有する第1、第2MOSトランジスタTR1、TR4とを具備することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられ、前記半導体基板と電気的に接続された第1半導体層と、前記第1半導体層の近傍に設けられ、前記半導体基板と電気的に分離された第2半導体層と、前記第1、第2半導体層上にそれぞれ設けられ、前記第1、第2半導体層の境界と平行に配置されたゲート電極をそれぞれ有する第1、第2MOSトランジスタとを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 21/8234 , H01L 21/76 , H01L 21/762 , H01L 21/764 , H01L 21/8242 , H01L 27/08 331 , H01L 27/088 , H01L 27/10 461 , H01L 27/108 , H01L 29/786

FI (10件)：

H01L 27/08 331 E , H01L 27/10 461 , H01L 27/08 102 B , H01L 27/08 102 H , H01L 21/76 L , H01L 21/76 D , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 621 , H01L 27/10 625 A , H01L 21/76 A

Fターム (45件)：

5F032AA07 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA82 , 5F032AC02 , 5F032BA03 , 5F032BA05 , 5F032CA17 , 5F032DA16 , 5F032DA22 , 5F032DA43 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BA09 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BC01 , 5F048BC11 , 5F048BC18 , 5F048BE03 , 5F048BG06 , 5F048BG14 , 5F083AD17 , 5F083HA02 , 5F083NA01 , 5F083PR43 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR55 , 5F083ZA12 , 5F083ZA28 , 5F110AA08 , 5F110BB03 , 5F110BB06 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD30 , 5F110EE37 , 5F110NN62 , 5F110NN74 , 5F110NN77

引用特許：

審査官引用 (19件)

特開昭63-081847
特開昭61-214559
半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-355346 出願人：セイコーエプソン株式会社

全件表示

前のページに戻る