特許
J-GLOBAL ID：200903042576146124

ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
水谷 一良

水谷 一良 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-026452
公開番号（公開出願番号）：特開2006-215180
出願日： 2005年02月02日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に半導体素子の微細加工において高感度、高解像性、良好なパターン耐熱性、アウトガスの低減、表面荒れの低減を満足するネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A) アルカリ可溶性樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び(C)酸の作用により反応して、炭素数3以上のアルコール又は炭素数7以上のカルボン酸の脱離を伴ってアルカリ可溶性樹脂に架橋を形成する架橋剤を含有するネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも下記(A)、(B)及び(C)を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。
IPC (6件)：
G03F 7/004 ,  C08K 5/13 ,  C08K 5/21 ,  C08K 5/349 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027
FI (6件)：
G03F7/004 501 ,  C08K5/13 ,  C08K5/21 ,  C08K5/3492 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (23件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  4J002EJ016 ,  4J002ET016 ,  4J002EU186 ,  4J002FD146 ,  4J002GP03 ,  4J002GQ00
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 特開平2-15270号公報
  • 日本特許第2985968号公報
  • 日本特許第2861309号公報
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審査官引用 (10件)
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