特許
J-GLOBAL ID：200903042950087226

レーザアニール装置

発明者：
正木 みゆき

正木 みゆき について

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河口 紀仁

河口 紀仁 について

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西田 健一郎

西田 健一郎 について

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石井 幹人

石井 幹人 について

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芳之内 淳

芳之内 淳 について

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成松 明格

成松 明格 について

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広瀬 宏樹

広瀬 宏樹 について

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藤原 達男

藤原 達男 について

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大野 俊孝

大野 俊孝 について


出願人/特許権者：
石川島播磨重工業株式会社

石川島播磨重工業株式会社 について


代理人 (1件)： 堀田 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-080526
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280321
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 基板上に形成された薄膜トランジスタに基板側から基板を透過可能なレーザ光を照射しするレーザアニール方法の実施に適したレーザアニール装置を提供しようとする。【解決手段】従来の基板を水平方向に搬送しつつ基板にレーザを照射して基板面の半導体膜をレーザアニールしうるレーザアニール装置にかわって、所定の隙間を挟んで搬送方向に並びステージの上面からガスを吹き出し基板をガス浮上させることのできる前方ガス浮上ステージと後方ガス浮上ステージとを有するガス浮上装置と、ガス浮上した基板を前記隙間を跨いで水平方向に送る水平送り装置と、当該隙間からレーザビームを上向きに照射するレーザ光学系と、を備えたものとした。
請求項（抜粋）：
基板を水平方向に搬送しつつ基板にレーザを照射するレーザアニール装置であって、所定の隙間を挟んで搬送方向に並べた前方ガス浮上ステージと後方ガス浮上ステージとを有し上面からガスを吹き出し基板をガス浮上させることのできるガス浮上装置と、ガス浮上した基板を前記隙間を跨いで水平方向に送る水平送り装置と、当該隙間からレーザビームを上向きに照射するレーザ光学系と、を備えたことを特徴とするレーザアニール装置
IPC (6件)：
H01L 21/268 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/08 ,  B23K 26/10 ,  H01L 21/68 ,  B23K101:40
FI (6件)：
H01L 21/268 G ,  B23K 26/00 E ,  B23K 26/08 D ,  B23K 26/10 ,  H01L 21/68 N ,  B23K101:40
Fターム (16件)：
4E068AH01 ,  4E068CA11 ,  4E068CD12 ,  4E068CE04 ,  4E068CE09 ,  4E068CE11 ,  4E068CH06 ,  4E068DA09 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031GA62 ,  5F031HA33 ,  5F031HA60 ,  5F031HA80 ,  5F031MA30 ,  5F031PA11
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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