特許

J-GLOBAL ID：200903042975541258

シリコン系薄膜の製造方法、その製造装置、光起電力素子及びその製造方法

発明者： 森田 章二 ,  堀江 哲弘 ,  竹内 良昭 ,  近藤 勝彦 ,  西宮 立享 ,  山口 賢剛
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010315
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217114
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 優先配向性に優れ、柱状晶が発達したシリコン系薄膜の製造方法、その製造装置、光起電力素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 反応容器内で基板を所定温度に加熱し、基板と放電用電極との間にシリコン含有ガスおよび水素ガスを供給するとともに、電源周波数が10MHz以上300MHz以下の高周波電力を該放電用電極と基板との間に印加して放電プラズマを生成させ、基板上に薄膜結晶系シリコン薄膜を積層形成する。

請求項（抜粋）：

反応容器内で基板を所定温度に加熱し、基板と放電用電極との間にシリコン含有ガスおよび水素ガスを供給するとともに、電源周波数が10MHz以上300MHz以下の高周波電力を該放電用電極と基板との間に印加して放電プラズマを生成させ、基板上に薄膜結晶系シリコンを積層形成することを特徴とするシリコン系薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/46 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/46 ,  H01L 31/04 V

Fターム (34件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030HA04 ,  4K030JA18 ,  4K030KA24 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AD07 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB12 ,  5F045BB15 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA65 ,  5F045DP05 ,  5F045EH04 ,  5F045EK07 ,  5F045EK08 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA13 ,  5F051CA16 ,  5F051CA24 ,  5F051CA34 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 微結晶シリコン膜及び微結晶シリコン膜の作製方法及び光電変換装置及び光電変換装置の作製方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-345630   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 結晶質シリコン系薄膜のプラズマCVD方法およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-081460   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 非晶質シリコン太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231066   出願人：三菱重工業株式会社
• 水素化非晶質シリコン成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-021482   出願人：株式会社富士電機総合研究所
• 非晶質半導体薄膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-253117   出願人：富士電機株式会社
• プラズマ化学蒸着装置及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-226423   出願人：三菱重工業株式会社
• 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-091199   出願人：キヤノン株式会社