特許
J-GLOBAL ID：200903072129079971

半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜及びその製造方法

発明者：
辻 直人

辻 直人 について

, 
尾崎 文紀

尾崎 文紀 について

, 
高橋 聡

高橋 聡 について


出願人/特許権者：
日本エー・エス・エム株式会社

日本エー・エス・エム株式会社 について


代理人 (2件)： 竹内 澄夫 ,  堀 明▲ひこ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-262304
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103752
出願日： 2002年09月09日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】ダマシン配線技術のCMP工程でディッシングが生じないような層間絶縁膜を製造する方法を与える。【解決手段】本発明に係る半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜の製造方法は、シリコン系炭化水素を材料ガスとして用いてプラズマCVD法により、第1の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜を形成した後、in-situで連続的にシリコン系炭化水素ガス及び酸化性ガスを材料ガスとして用いてプラズマCVD法により、第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程とから成る。好適には、酸化性ガスの流量はシリコン系炭化水素ガスの流量の1.2〜100倍である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜の製造方法であって、 シリコン系炭化水素を材料ガスとして用いてプラズマCVD法により、第1の絶縁膜を形成する工程と、 前記第1の絶縁膜を形成した後、in-situで連続的にシリコン系炭化水素ガス及び酸化性ガスを材料ガスとして用いてプラズマCVD法により、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成する工程と、 から成る方法。
IPC (2件)：
H01L21/316 ,  H01L21/768
FI (4件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/316 M ,  H01L21/90 P ,  H01L21/90 S
Fターム (18件)：
5F033MM01 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS15 ,  5F033TT03 ,  5F033WW06 ,  5F033XX01 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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