特許
J-GLOBAL ID：200903043098415153

剥離方法

発明者：
高山 徹

高山 徹 について

, 
丸山 純矢

丸山 純矢 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-036668
公開番号（公開出願番号）：特開2006-203219
出願日： 2006年02月14日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】被剥離層に損傷を与えず、小さな面積の被剥離層だけでなく、大きな面積の被剥離層も歩留まりが良好な剥離方法を提供する。【解決手段】基板上に第1の材料を含む第1の層を形成する工程と、第1の層上に第2の材料を含む第2の層を形成する工程と、第2の層上に被剥離層を形成する工程と、加熱処理またはレーザー光の照射を行って、第2の層の圧縮応力を用いることにより、基板と被剥離層とを分離する工程とを含む。第1の材料は、Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir及びPtから選択された1つ又は複数である。第2の材料は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、第1の材料を含む第1の層を形成し、 前記第1の層上に、第2の材料を含む第2の層を形成し、 前記第2の層上に、被剥離層を形成し、 加熱処理またはレーザー光の照射を行って、前記第2の層の圧縮応力を用いることにより、前記基板と前記被剥離層とを分離することを特徴とする剥離方法。
IPC (6件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/268
FI (4件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627D ,  H01L21/268 F
Fターム (131件)：
5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28 ,  5F152BB01 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152BB08 ,  5F152BB09 ,  5F152BB10 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CD09 ,  5F152CD13 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CD17 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE32 ,  5F152CE36 ,  5F152CE45 ,  5F152CF13 ,  5F152CF18 ,  5F152DD02 ,  5F152DD04 ,  5F152DD05 ,  5F152DD10 ,  5F152EE14 ,  5F152FF03 ,  5F152FF06 ,  5F152FF11 ,  5F152FF21 ,  5F152FF29 ,  5F152FF30 ,  5F152FF35 ,  5F152FF36 ,  5F152FF47 ,  5F152FG04 ,  5F152FG18 ,  5F152FH01 ,  5F152FH05 ,  5F152LL03 ,  5F152LL04 ,  5F152LL10 ,  5F152LP01 ,  5F152LP06 ,  5F152LP07 ,  5F152LP09 ,  5F152MM01 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM11 ,  5F152MM13 ,  5F152NN01 ,  5F152NN03 ,  5F152NN12 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN19 ,  5F152NN20 ,  5F152NP09 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NP17 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ12
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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