特許
J-GLOBAL ID：200903043241259400

情報記憶装置、情報記憶方法、情報記憶プログラム

発明者：
下山 健

下山 健 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-335779
公開番号（公開出願番号）：特開2004-171660
出願日： 2002年11月19日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】動作周波数を可変とするようなシステムや電子装置に搭載されながらも最適なリフレッシュ処理が確実に実現される情報記憶装置を提供する。【解決手段】電荷を蓄積させることでデータを記憶する複数のメモリセルを有する情報記憶装置において、メモリセルに対して電荷の再充電を行う処理を専用の再充電用クロックを同期信号として用い、再充電を行う処理を確実に制御する。このような処理を確実に行うことにより、動作周波数が可変とされるシステムや電子装置においても最適なリフレッシュ処理を確実に行うことができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電荷を蓄積させることでデータを記憶する複数のメモリセルを有する情報記憶装置において、 前記メモリセルに対して電荷の再充電を行う処理を再充電用クロックを同期信号として用いることを特徴とする情報記憶装置。
IPC (5件)：
G11C11/403 ,  G06F12/00 ,  G11C11/401 ,  G11C11/406 ,  G11C11/407
FI (5件)：
G11C11/34 363M ,  G06F12/00 550B ,  G11C11/34 363L ,  G11C11/34 371G ,  G11C11/34 362S
Fターム (13件)：
5B060CA10 ,  5M024AA04 ,  5M024AA90 ,  5M024BB22 ,  5M024BB39 ,  5M024EE09 ,  5M024EE23 ,  5M024EE24 ,  5M024JJ02 ,  5M024KK35 ,  5M024PP01 ,  5M024PP07 ,  5M024PP10
引用特許：
審査官引用 (9件)
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