窒化物半導体結晶の成長

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：下田容一郎 , 田宮寛祉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-507585
公開番号（公開出願番号）：特表2008-511969
出願日： 2005年08月31日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

基板12を反応管11内に載置する工程の後、3族元素を含む第1の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、窒素元素を含む第2の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、を交互に行うことにより、窒化物半導体結晶を基板上に直接堆積する窒化物半導体の結晶成長方法である。第1の材料ガスに含まれる3族元素のモル数に対する第2の材料ガスに含まれる窒素元素のモル数の比は200以上である。

請求項（抜粋）：

基板を反応管内に載置する工程の後、3族元素を含む第1の材料ガスを前記反応管内の前記基板上に供給する工程と、窒素元素を含む第2の材料ガスを前記反応管内の前記基板上に供給する工程と、を交互に行うことにより窒化物半導体結晶を前記基板上に直接堆積する窒化物半導体の結晶を成長させる方法であって、前記第1の材料ガスに含まれる前記3族元素のモル数に対する前記第2の材料ガスに含まれる前記窒素元素のモル数の比を200以上にすることを特徴とする窒化物半導体の結晶を成長させる方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C23C 16/52 , C30B 29/38

FI (4件)：

H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/52 , C30B29/38 D

Fターム (53件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE12 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077DB13 , 4G077EC09 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EH06 , 4G077TA04 , 4G077TA08 , 4G077TC12 , 4G077TJ05 , 4G077TK01 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BA39 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030KA02 , 4K030KA41 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AA06 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045BB02 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045DA63 , 5F045DP04 , 5F045DQ06 , 5F045EE12 , 5F045EE19

引用特許：

出願人引用 (4件)

化合物半導体混晶の結晶成長方法および化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-015121 出願人：シャープ株式会社
単結晶基板上に第3族窒化物のエピタキシャル層を成長させる方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-106482 出願人：廣が光電股ふん有限公司
化合物半導体の結晶成長方法及び化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-077040 出願人：シャープ株式会社

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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