特許
J-GLOBAL ID：200903055777249716

窒化物半導体の製造方法および半導体ウェハならびに半導体デバイス

発明者：
藤倉 序章

藤倉 序章 について

, 
鈴木 貴征

鈴木 貴征 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-203675
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047763
出願日： 2002年07月12日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】基板上に形成する窒化物半導体の転位密度を飛躍的に低減することを可能にする。【解決手段】単結晶の絶縁性基板1上に、(InaAlbGacN)xSiy(a≧0、b≧0、c≧0、x>0、y>0、a+b+c=1、x+y=1)で表されるIII-V-IV族混晶バッファ層2を、III族原料およびV族原料と、IV族原料を基板表面に交互に供給することによりエピタキシャル成長し、この混晶バッファ層2上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層3を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上へ窒化物半導体層を形成するに当たり、 単結晶の絶縁性基板上に、(InaAlbGacN)xSiy(a≧0、b≧0、c≧0、x>0、y>0、a+b+c=1、x+y=1)で表されるIII-V-IV族混晶バッファ層を、III族原料およびV族原料と、IV族原料を基板表面に交互に供給することによりエピタキシャル成長し、 この混晶バッファ層上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
IPC (8件)：
H01L29/26 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (6件)：
H01L29/26 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  H01L29/80 H
Fターム (41件)：
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB19 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045EE12 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK01 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (11件)
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