面発光半導体レーザ素子及び光伝送システム

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-061777
公開番号（公開出願番号）：特開2002-335045
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】面発光半導体レーザ素子が長波長帯(例えば、1.1μm以上の波長帯)のGaInNAs系のものであっても、ポリイミド保護膜のクラック発生やはく離を生じさせず、また、素子の信頼性を低下させず、素子を安定に動作させることの可能な面発光半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】この面発光半導体レーザ素子は、半導体基板1上に、NとAsを含むIII-V族混晶半導体から成る活性層4を含む共振器と、共振器の上下に設けられた多層膜反射鏡2,8とが、レーザ構造部として形成されており、前記レーザ構造部の表面に熱線膨張係数が50×10-6°C-1以下のポリイミド保護膜12が設けられている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、NとAsを含むIII-V族混晶半導体から成る活性層を含む共振器と、共振器の上下に設けられた多層膜反射鏡とが、レーザ構造部として形成されている面発光半導体レーザ素子において、前記レーザ構造部の表面に熱線膨張係数が50×10-6°C-1以下のポリイミド保護膜が設けられていることを特徴とする面発光半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/183 , H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01S 5/183 , H01S 5/323 610

Fターム (10件)：

5F073AA51 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073CA17 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073DA27 , 5F073DA35 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (9件)

導波路型光素子及びこれを用いた光送信モジュール並びに集積化光導波素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-181857 出願人：株式会社日立製作所
半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-218981 出願人：株式会社リコー
リッジ型半導体光デバイス及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-197758 出願人：キヤノン株式会社

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