特許
J-GLOBAL ID：200903043522323205

薄膜層を有する複合半導体

発明者：
栗原 正明

栗原 正明 について

, 
岡田 宣宏

岡田 宣宏 について


出願人/特許権者：
旭化成株式会社

旭化成株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-092816
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298032
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 高い開放電圧と高い曲線因子と短絡電流のバランスがとれた高い変換効率を有する光化学電池を提供する。【解決手段】 結晶性n型半導体をコアとし、該コアの表面を絶縁体またはコアを形成するn型半導体より高い伝導帯準位を有するn型半導体のいずれかからなる厚さ1nm未満のシェルで被覆してなる複合半導体を含有する半導体の膜が導電性支持体上に積層されてなる光電変換素子を用いる。
請求項（抜粋）：
結晶性n型半導体をコアとし、該コアの表面を絶縁体またはコアを形成するn型半導体より高い伝導帯準位を有するn型半導体のいずれかからなる厚さ1nm未満のシェルで被覆してなる複合半導体。
IPC (4件)：
H01L 27/14 ,  H01L 29/12 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00
FI (4件)：
H01M 14/00 P ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/04 Z ,  H01L 29/14
Fターム (17件)：
4M118AA01 ,  4M118AB10 ,  4M118CA14 ,  5F051AA07 ,  5F051AA14 ,  5F051BA11 ,  5F051CB13 ,  5F051CB15 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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