特許
J-GLOBAL ID：200903038285437787

窒化物化合物半導体層の熱処理方法及び半導体素子の製造方法

発明者：
竹谷 元伸

竹谷 元伸 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-241967
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057161
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】p型不純物が添加された窒化物化合物半導体層の低抵抗化、活性化を、従来の技術におけるよりも一層低温にて行うことを可能とする窒化物化合物半導体層の熱処理方法を提供する。【解決手段】窒化物化合物半導体層の熱処理方法は、p型不純物が添加された窒化物化合物半導体層を、200 ゚C以上400 ゚C未満の温度で、100分以上加熱する。
請求項（抜粋）：
p型不純物が添加された窒化物化合物半導体層を、200 ゚C以上400 ゚C未満の温度で、100分以上加熱することを特徴とする窒化物化合物半導体層の熱処理方法。
IPC (9件)：
H01L 21/324 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343 ,  C23C 16/34
FI (8件)：
H01L 21/324 C ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/26 G ,  H01L 29/72
Fターム (32件)：
4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030DA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA14 ,  5F003AZ03 ,  5F003BG06 ,  5F003BM02 ,  5F003BP41 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (15件)
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