特許
J-GLOBAL ID：200903045310667390

金属セラミックス接合基板及びその製造方法及び金属セラミックス接合体

発明者：
小山内 英世

小山内 英世 について


出願人/特許権者：
DOWAメタルテック株式会社

DOWAメタルテック株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-098536
公開番号（公開出願番号）：特開2009-252971
出願日： 2008年04月04日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：
【課題】金属セラミックス接合基板の多数個取りの方式の製造方法において、金属セラミックス基板の機械的特性および絶縁耐圧を劣化させることなく、且つ経済的に作製できる、金属セラミックス基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板の表面にスクライバーでスクライブラインを形成する工程、前記セラミックス基板の表面に金属板を接合して金属セラミックス接合体を形成する工程、前記スクライブラインが露出するように前記金属板を加工してパターンを形成する工程、前記金属セラミックス接合体を前記スクライブラインに沿って分割して金属セラミックス接合基板を得る工程を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
厚さが0.25〜2.0mmのセラミックス基板をスクライバーのテーブルに固定する工程、前記セラミックス基板表面に前記スクライバーに設置されたローラー刃で深さが0.002〜0.030mmのスクライブラインを形成する工程、前記セラミックス基板を前記スクライバーから取り外し、前記セラミックス基板の表面に金属板を接合して金属セラミックス接合体を形成する工程、前記スクライブラインが露出するように前記金属板を加工してパターンを形成する工程、前記金属セラミックス接合体を前記スクライブラインに沿って分割して金属セラミックス接合基板を得る工程を有する、金属セラミックス接合基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/00 ,  B28D 1/24 ,  B28D 5/00
FI (3件)：
H05K3/00 X ,  B28D1/24 ,  B28D5/00 Z
Fターム (4件)：
3C069AA02 ,  3C069BA04 ,  3C069CA03 ,  3C069CA06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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