特許
J-GLOBAL ID：200903045588856703
フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、及び、半導体素子
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371157
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206682
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 フォトレジスト共重合体の合成収率を増大させて合成単価を節減し、大量生産を可能にするフォトレジスト架橋剤を提供する。【解決手段】下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト架橋剤である。【化1】(前記式で、Vは、CH2、CH2CH2、酸素又は硫黄であり、Yは、炭素数1-12の直鎖又は側鎖アルキル、酸素又は炭素数1-12の直鎖又は側鎖エーテルであり、R′及びR′′は、それぞれH又はCH3であり、iは、1〜5のいずれかの整数であり、nは、0〜3のいずれかの整数である。)
請求項（抜粋）：
下記式(1)で示される化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト架橋剤。【化1】(前記式で、Vは、CH2、CH2CH2、酸素又は硫黄であり、Yは、炭素数1-12の直鎖又は側鎖アルキル、酸素又は炭素数1-12の直鎖又は側鎖エーテルであり、R′及びR′′は、それぞれH又はCH3であり、iは、1〜5のいずれかの整数であり、nは、0〜3のいずれかの整数である。)
IPC (7件)：
G03F 7/004 501
, C08F220/16
, C08F222/06
, C08F232/04
, G03F 7/039 501
, C07C 69/753
, C08F290/02
G03F 7/004 501
, C08F220/16
, C08F222/06
, C08F232/04
, G03F 7/039 501
, C07C 69/753 C
, C08F290/02
