特許
J-GLOBAL ID：200903045697935958

防汚層、防汚層の製造方法、防汚性反射防止フィルム、偏光板及び画像表示装置

発明者：
村上 隆

村上 隆 について

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工藤 一良

工藤 一良 について

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伊藤 博人

伊藤 博人 について

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松田 敦子

松田 敦子 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタオプト株式会社

コニカミノルタオプト株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-026559
公開番号（公開出願番号）：特開2005-219223
出願日： 2004年02月03日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：
【課題】 基材上に設けられた時に、高い防汚性を示し、前記防汚性のバラツキが小さく、特に、表面に凹凸を有する防眩層の上に形成された場合でも繰り返しの防汚性に優れている防汚層、前記防汚層の製造方法を提供することであり、更には、前記防汚層を有する防汚性反射防止フィルム、偏光板及び画像表示装置を提供する【解決手段】 基材上に直接またはその他の層を介して設けられた純水接触角90 ゚以上の防汚層であって、該防汚層の表面のナノインデンテーション弾性率が7GPa〜35GPaであり、前記防汚層を構成する元素中の、珪素(Si)、酸素(O)、炭素(C)の比率(Si:O:C)が1.0:(1.0〜1.5):(1.1〜20)であり、且つ、静的二次イオン質量分析法による該表面のI43.00/I44.98が4.5を超えることを特徴とする防汚層。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基材上に直接またはその他の層を介して設けられた純水接触角90 ゚以上の防汚層であって、該防汚層の表面のナノインデンテーション弾性率が7GPa〜35GPaであり、前記防汚層を構成する元素中の、珪素(Si)、酸素(O)、炭素(C)の比率(Si:O:C)が1.0:(1.0〜1.5):(1.1〜20)であり、且つ、静的二次イオン質量分析法による該表面のI43.00/I44.98が4.5を超えることを特徴とする防汚層。
IPC (6件)：
B32B7/02 ,  B05D5/00 ,  B05D5/06 ,  G02B1/10 ,  G02B1/11 ,  G02B5/30
FI (6件)：
B32B7/02 ,  B05D5/00 H ,  B05D5/06 F ,  G02B5/30 ,  G02B1/10 A ,  G02B1/10 Z
Fターム (48件)：
2H049BA02 ,  2H049BB65 ,  2H049BC22 ,  2K009AA02 ,  2K009AA15 ,  2K009CC03 ,  2K009CC09 ,  2K009DD04 ,  2K009EE05 ,  4D075AE03 ,  4D075BB85Y ,  4D075CA02 ,  4D075CA34 ,  4D075CA37 ,  4D075CB06 ,  4D075DA04 ,  4D075DC24 ,  4F100AA17D ,  4F100AA20 ,  4F100AA29 ,  4F100AH06B ,  4F100AJ04 ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA04 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100DE01C ,  4F100EH662 ,  4F100GB41 ,  4F100JG04B ,  4F100JK07B ,  4F100JK12C ,  4F100JL06B ,  4F100JM02C ,  4F100JN01A ,  4F100JN06 ,  4F100YY00B ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA35 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA03 ,  4K030LA01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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