特許
J-GLOBAL ID:200903045724656853

薄膜太陽電池の製造方法及び同太陽電池基板の脱ガス処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山口 巖 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-104040
公開番号(公開出願番号):特開2000-299481
出願日: 1999年04月12日
公開日(公表日): 2000年10月24日
要約:
【要約】【課題】 薄膜太陽電池の製造方法において、基板の脱ガス処理を効率的に行って製造効率の向上を図ると共に基板の熱変形防止を図る。さらに同方法に好適な脱ガス処理装置を提供する。【解決手段】 大気中にさらされた状態の基板を、真空成膜処理装置において真空成膜処理する前に、専用の脱ガス処理装置により脱ガス処理を行った後に、真空成膜処理装置に導入することとする。脱ガス処理装置は例えば、巻き出しロール13を備えた第1の真空槽11と、巻取りロール113を備えた第2の真空槽12とに分割し、前記両真空槽はそれぞれ、基板搬送ロール19,119と,基板加熱用の加熱ロール15a,15b,115a,115bと赤外線ランプ16,116からなる加熱装置と,予備加熱ロール14,114および予備冷却ロール18,118とを備え、さらに、前記両真空槽は、基板が搬送可能なスリット10を介して連通してなるものとする。
請求項(抜粋):
電気絶縁性を有するロール状可撓性基板上に、金属電極層,光電変換層および透明電極層を、真空成膜処理装置において順次形成する薄膜太陽電池の製造方法において、大気中にさらされた状態の基板を、前記真空成膜処理装置において真空成膜処理する前に、基板内部および基板表面から水分やその他揮発性分を除去するための専用の脱ガス処理装置により脱ガス処理を行った後に、前記真空成膜処理装置に導入することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
Fターム (9件):
5F051BA14 ,  5F051BA15 ,  5F051CA21 ,  5F051CA22 ,  5F051CA40 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05
引用特許:
審査官引用 (12件)
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