特許
J-GLOBAL ID：200903046112765412

半導体装置の製造方法

発明者：
荒尾 達也

荒尾 達也 について

, 
磯部 敦生

磯部 敦生 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-363483
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163165
出願日： 2001年11月28日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】 非晶質シリコン膜に触媒元素の導入された場所のみを確実に結晶化し、かつ工程を簡略化できる方法を提供することにある。【解決手段】 絶縁表面を有する基板上に非晶質シリコン膜を形成し、上記非晶質シリコン膜に結晶化を促進する触媒元素を導入する工程と、レーザー光を照射して選択的に上記非晶質シリコン膜を結晶化する工程と、非晶質シリコン膜に導入された触媒元素を選択的に除去する工程と、加熱処理を行いレーザー光を照射して選択的に上記非晶質シリコン膜を結晶化した第1領域から上記基板と平行に上記非晶質シリコン膜を結晶化させる工程と、レーザー光を照射した場所以外で加熱処理を行ったときに結晶化した結晶質シリコン膜の第2領域にTFTの活性層を形成する工程を備えることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成する第1工程と、前記非晶質構造を有する半導体膜に触媒元素を添加する第2工程と、前記非晶質構造を有する半導体膜の一部となる第1領域にレーザー光を照射する第3工程と、前記半導体膜に添加された触媒元素を除去する第4の工程と、前記非晶質構造を有する半導体膜を加熱して、第1領域から基板と平行に固相成長した結晶構造を有する半導体膜となる第2領域を形成する第5工程とを有する半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/322 R ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z
Fターム (92件)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092MA37 ,  2H092NA27 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE47 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF32 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN48 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP23 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP36 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ21 ,  5F110QQ28
引用特許：
審査官引用 (9件)
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