特許
J-GLOBAL ID：200903046150502794

半導体素子の製造方法

発明者：
▲ほ▼ 源 俊

▲ほ▼ 源 俊 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119558
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057124
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】金属シリサイドのシート抵抗特性及び熱的安定性を向上させることのできる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板21上に形成したゲート絶縁膜22上に第1ポリシリコン層23を形成し、窒素ガスを注入して第1ポリシリコン層23上にSiN層24を形成し、SiN層24上に第2ポリシリコン層25を形成し、前記第2ポリシリコン層上に高融点金属膜26を形成した前記半導体基板に熱処理を行って第2ポリシリコン層25と高融点金属膜26を反応させ、金属シリサイド膜27を形成する。このように、SiN層24を形成することによって第2ポリシリコン層25と第1ポリシリコン層23とが独立し、金属シリサイド膜27を形成するための熱処理時に、アモルファス第2ポリシリコン層25が第1ポリシリコン層23の結晶粒による影響を受けなくなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜上に第1ポリシリコン層を形成する段階と、前記半導体基板に窒素イオンを注入して第1ポリシリコン層上にSiN層を形成する段階と、前記SiN層上に第2ポリシリコン層を形成する段階と、前記第2ポリシリコン層上に高融点金属膜を形成する段階と、前記半導体基板に熱処理を行って前記第2ポリシリコン層と高融点金属膜を反応させ金属シリサイド膜を形成する段階と、を備えてなることを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/88 P ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (31件)：
4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB25 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD86 ,  4M104EE01 ,  4M104EE08 ,  5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033MM15 ,  5F033PP09 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ78 ,  5F033XX10 ,  5F140AA01 ,  5F140AA34 ,  5F140AA40 ,  5F140BF04 ,  5F140BF13 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BF35 ,  5F140BG26 ,  5F140BG28 ,  5F140BG34 ,  5F140CC08
引用特許：
審査官引用 (8件)
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