半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-533382
公開番号（公開出願番号）：特表2004-511106
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】光信号検出感度の高い差動検出器として効果的に使用することのできるフォトダイオードを提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置(およびその製造方法)は基板表面に形成されたSOIウェーハ330を備えている。SOIウェーハ330の表面に形成された分離トレンチ350が、交互に形成されたp型トレンチ520とn型トレンチ530を囲み、デバイス300を基板から分離している。これにより、デバイス300を光電子回路中で差動検出器として効果的に用いることが可能になる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

光検出用の半導体装置であって、基板と、前記基板上に形成されたウェーハであって、前記ウェーハはシリコン層と絶縁層とを備え、前記絶縁層は前記シリコン層と前記基板との間に設けられている、ウェーハと、前記ウェーハの前記シリコン層に交互に形成された複数のpドープ・トレンチおよびnドープ・トレンチとを備えた半導体装置。

IPC (5件)：

H01L27/12 , H01L21/76 , H01L21/762 , H01L27/146 , H01L31/10

FI (5件)：

H01L27/12 F , H01L21/76 D , H01L21/76 L , H01L27/14 A , H01L31/10 A

Fターム (34件)：

4M118AB10 , 4M118BA09 , 4M118CA02 , 4M118CA03 , 4M118CA19 , 4M118CA20 , 4M118CA24 , 4M118EA01 , 4M118EA14 , 4M118EA20 , 4M118GD13 , 5F032AA06 , 5F032AA07 , 5F032AA35 , 5F032AA48 , 5F032AA63 , 5F032CA15 , 5F032DA60 , 5F032DA71 , 5F049MA04 , 5F049MB03 , 5F049NA01 , 5F049NA03 , 5F049NA04 , 5F049PA10 , 5F049PA14 , 5F049QA01 , 5F049QA08 , 5F049QA11 , 5F049SE09 , 5F049SS03 , 5F049SZ16 , 5F049SZ20 , 5F049UA20

引用特許：

審査官引用 (10件)

pin型半導体受光素子およびこれを含む半導体受光回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-283144 出願人：日本電信電話株式会社
半導体光検出器及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-327503 出願人：日本電気株式会社
特開昭62-205667

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