特許
J-GLOBAL ID:200903046239405822
赤外線検出システム
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-051002
公開番号(公開出願番号):特開2009-210289
出願日: 2008年02月29日
公開日(公表日): 2009年09月17日
要約:
【課題】赤外線検出感度の高い赤外線検出システムを提供する。【解決手段】第1の半導体基板11とヒータ層13との間に形成された第1の多孔質部12を有する赤外線放射素子10と、第2の半導体基板21と感温部23との間に形成された第2の多孔質部22を有し赤外線放射素子10から放射された赤外線を検出する赤外線検出素子20と、赤外線放射素子10への入力電力を制御して赤外線放射素子10から赤外線を放射させる制御部(図示せず)とを備える。赤外線放射素子10は、第1の多孔質部12におけるヒータ層13側に第1の多孔質部12の表層部を酸化することにより形成された第1の封孔層12dを有し、赤外線検出素子20は、第2の多孔質部22における感温部23側に第2の多孔質部22の表層部を酸化することにより形成された第2の封孔層22dを有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第1の半導体基板の一表面側に形成されたヒータ層および第1の半導体基板の前記一表面側で第1の半導体基板とヒータ層との間に形成された第1の多孔質部を有する赤外線放射素子と、第2の半導体基板の一表面側に形成された感温部および第2の半導体基板の前記一表面側で第2の半導体基板と感温部との間に形成された第2の多孔質部を有し赤外線放射素子から放射された赤外線を検出する赤外線検出素子と、赤外線放射素子への入力電力を制御して赤外線放射素子から赤外線を放射させる制御部とを備え、赤外線放射素子は、第1の多孔質部におけるヒータ層側に第1の多孔質部の表層部を酸化することにより形成された第1の封孔層を有し、赤外線検出素子は、第2の多孔質部における感温部側に第2の多孔質部の表層部を酸化することにより形成された第2の封孔層を有することを特徴とする赤外線検出システム。
IPC (5件):
G01J 1/02
, G01N 21/35
, G01N 21/01
, H01L 37/00
, H01L 31/024
FI (5件):
G01J1/02 C
, G01N21/35 Z
, G01N21/01 D
, H01L37/00
, H01L31/08 H
Fターム (17件):
2G059AA01
, 2G059BB01
, 2G059EE01
, 2G059GG07
, 2G059HH01
, 2G059KK01
, 2G059KK09
, 2G065AA04
, 2G065AB02
, 2G065BA11
, 2G065BA12
, 2G065CA13
, 5F088AB03
, 5F088BA01
, 5F088BA02
, 5F088BB06
, 5F088DA05
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (11件)
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