特許
J-GLOBAL ID：200903046389187122
半導体記憶装置及びその制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-371126
公開番号（公開出願番号）：特開2004-206740
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】回路面積の増大を抑えることのできる半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】メモリセルアレイ11は、外部番地が割り当てられたメモリセルにて構成された第1領域11aと、外部番地が割り当てられていないメモリセルにて構成される第2領域11bとを備える。第2領域11bには、フラッシュメモリ10を設定するためのメモリ制御情報が記憶されている。そして、第1領域11aと第2領域11bのメモリセルは、両メモリセルに対して共通なビット線BLに接続されている。そして、メモリ制御情報を記憶する第2領域11bがユーザのデータを記憶する第1領域11aに隣接して設けられ、各領域11a,11bのメモリセルへの書き込みのための回路(ライトドライバ15)が共有化されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
外部番地が割り当てられた第1のメモリセルと、
外部番地が割り当てられていない第2のメモリセルとを備え、
前記第2のメモリセルはメモリ制御情報のために設けられ、
前記第1及び第2のメモリセルは、両メモリセルに対して共通なビット線に接続されていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C17/00 625
, G11C17/00 601E
, G11C17/00 613
5B025AA02
, 5B025AB01
, 5B025AC03
, 5B025AD03
, 5B025AD04
, 5B025AD05
, 5B025AD06
, 5B025AE08
