特許
J-GLOBAL ID：200903046441498301

半導体装置の製造方法

発明者：
小山 晋

小山 晋 について

, 
安藤 公一

安藤 公一 について

, 
黒木 俊一郎

黒木 俊一郎 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-044038
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237324
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】半導体装置に、信頼性の高いマルチゲート絶縁膜が、簡便で高精度に形成できるようにする。【解決手段】シリコン基板表面に選択的に、熱酸化を増速させる不純物をイオン注入等で導入した後、上記不純物を導入したシリコン基板の酸化(希釈酸化)、酸窒化あるいは再酸化を連続して行い、半導体チップ上で膜厚の異なる複数種のゲート絶縁膜を形成する。ここで、上記不純物としてハロゲンあるいは希ガスのイオンを用いる。また、イオン注入による不純物導入では、半導体チップ上の箇所で異なるドーズ量のイオンを注入し、このドーズ量に応じて絶縁膜の膜厚を変化させる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板表面に選択的に、熱酸化を増速させる不純物を導入する工程と、前記シリコン基板表面の酸化、酸窒化を連続して行う工程を含み、前記シリコン基板表面に膜厚の異なる複数種の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 A ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 21/265 W ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (24件)：
5F040DB01 ,  5F040ED00 ,  5F040ED03 ,  5F040FC04 ,  5F040FC15 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB11 ,  5F048BB16 ,  5F048BD04 ,  5F048BG12 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BD16 ,  5F058BF55 ,  5F058BF60 ,  5F058BF61 ,  5F058BF62 ,  5F058BF65 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ04
引用特許：
審査官引用 (7件)
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