アモルファスカーボン膜の後処理方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-175988
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034837
出願日： 2007年07月04日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

【課題】アモルファスカーボン膜の成膜後にアニール等の加熱下での処理を施してもアモルファスカーボン膜の特性が大きく変化することがないアモルファスカーボン膜の後処理方法を提供すること。【解決手段】基板上に成膜され、加熱をともなう処理が施されたアモルファスカーボン膜を後処理するに際し、加熱をともなう処理の直後に、アモルファスカーボン膜の酸化防止処理、例えばシリル化剤を接触させるシリル化処理を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に成膜され、加熱をともなう処理が施されたアモルファスカーボン膜の後処理方法であって、加熱をともなう処理の直後に、アモルファスカーボン膜の酸化を防止する処理を行うことを特徴とするアモルファスカーボン膜の後処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/314 , H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (6件)：

H01L21/314 M , H01L21/314 A , H01L21/312 M , H01L21/312 A , H01L21/316 M , H01L21/90 K

Fターム (37件)：

5F033HH11 , 5F033JJ11 , 5F033MM02 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS01 , 5F033TT02 , 5F033WW03 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD02 , 5F058AD05 , 5F058AD10 , 5F058AD12 , 5F058AF01 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BC14 , 5F058BC20 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BD18 , 5F058BD19 , 5F058BF07 , 5F058BF26 , 5F058BH01 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

アモルファスカーボン層の堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-042049 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-080056 出願人：ソニー株式会社
アモルファスカーボン層の堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-042049 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-363878 出願人：松下電器産業株式会社

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